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消息称三星电子副会长赴美与英伟达洽谈 HBM3E 12 层产品供应及 HBM4 未来供货方向

2025-07-12 20:09:03雷霆软件园

本站 7 月 7 日消息,据韩媒 news1 报道,三星电子 DS(半导体)部门主管、公司副会长全永贤近期前往美国,与英伟达就 HBM3E 12 层产品供应及代工业务进行一系列洽谈,争取可能的订单。

目前,三星的首要任务之一就是向英伟达供应 HBM3E 12 层产品,该公司从去年开始就积极争取英伟达的质量认证,不过遭英伟达驳回,目前,三星正以改进设计的新版本重新申请英伟达认证并尝试向其供货。

作为比较,近期三星已成功向 AMD MI350X系列AI芯片供应 HBM3E 12 层产品,这一进展在很大程度上打消了外界对其品质的担忧,也提升了通过英伟达认证的可能性。如果三星顺利获得英伟达订单,将与目前在 HBM 领域领先的 SK 海力士以及美国美光展开更为激烈的竞争。

除此之外,业界普遍推测,全永贤此行还与英伟达方面讨论了第六代 HBM(HBM4)的未来供货方向。该公司竞争对手SK 海力士和美光已分别在今年 3 月和 6 月向客户交付了基于第五代 10 纳米级 DRAM(1b 工艺)的 HBM4 样品,而三星计划凭借采用更先进第六代(1c 工艺)DRAM 的 HBM4 产品实现技术反超。

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