美光发布第六代10nm级LPDDR5x内存，速度飙升10.7Gbps，功耗降20%

近日，美光科技宣布了一项在DRAM内存技术领域的重大突破，正式推出了基于第六代10nm级制程技术（美光内部命名为1γ或1-gamma）的LPDDR5x内存。这项技术不仅标志着美光在半导体制造领域的领先地位，也预示着智能手机等移动设备将迎来性能与能效的显著提升。

据美光介绍，其1γ LPDDR5x内存的数据传输速率高达10.7Gbps（精确值为10667MT/s），这一速度在业界内处于顶尖水平。与上一代1β产品相比，1γ LPDDR5x在提供更高性能的同时，还实现了20%的功耗节省。这对于追求极致性能与续航平衡的智能设备而言，无疑是一个巨大的福音。

美光在内存模块的厚度上也取得了显著的进步。1γ LPDDR5x的DRAM模块厚度仅为0.61mm，较1β LPDDR5x降低了14%，相比其他竞争对手的产品更是低了6%。这一突破性的设计使得超薄与折叠屏智能手机在内部空间布局上有了更多的可能性，为手机设计师提供了更大的创意空间。

美光的1γ制程技术是其第一代采用极紫外光刻（EUV）技术的DRAM内存工艺。此前，这项技术已经在DDR5内存上得到了成功应用，并展现出了卓越的性能与稳定性。此次将其应用于LPDDR5x内存，无疑将进一步提升美光在移动存储市场的竞争力。

目前，美光已经开始向指定的合作伙伴提供16GB封装容量的1γ LPDDR5x样品，并计划在未来推出从8GB到32GB不等的多种容量规格。预计这些高性能的内存产品将搭载在2026年的旗舰智能手机上，为消费者带来更加流畅、高效的使用体验。